超高真空四靶磁控溅射系统
更新时间：2015-6-15
主要用途：主要用于制备金属膜、介质膜、半导体膜。广泛用于生产和材料研究领域。
技术指标：
- 极限真空：6.6×10-5Pa
- 溅射室为立式不锈钢∩型结构，双层夹壁水冷，尺寸约ø600×600
- 四只矩形靶，靶尺寸：430×130
- 样品自转、公转，转速可调，可加热至300°C
- 四个靶由四台电源控制，可以同时或单独工作
- 射频和直流溅射，功率5KW
主要用于制备金属膜、介质膜、半导体膜。广泛用于生产和材料研究领域。
技术指标：
