为中国科技大学研制的大型离子束刻蚀装置
更新时间：2015-6-15
主要用途：主要用于大口径光学元件的研究和制作。装置具有离子束刻蚀系统，精密传动工作台，离子束流探测，激光在线测量系统，高真空系统和气路系统等组成。
技术指标：
真空度：5×10-4Pa
工作真空：2×10-2Pa
可刻蚀面积：400×400mm2
纵向扫描行程：450±0.02mm
横向偏摆误差：±0.02mm
速度均匀性：好于0.5%
主要用于大口径光学元件的研究和制作。装置具有离子束刻蚀系统，精密传动工作台，离子束流探测，激光在线测量系统，高真空系统和气路系统等组成。
技术指标：
真空度：5×10-4Pa
工作真空：2×10-2Pa
可刻蚀面积：400×400mm2
纵向扫描行程：450±0.02mm
横向偏摆误差：±0.02mm
速度均匀性：好于0.5%
