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为中山大学研制的超高真空场发射阴极特性测试系统
更新时间:2016-3-2

为中山大学研制的超高真空场发射阴极特性测试系统

为中山大学研制的超高真空场发射阴极特性测试系统

图一:电泳沉积石墨烯薄膜的场发射特性曲线及形貌图

电泳沉积石墨烯薄膜的场发射特性曲线及形貌图

图二:电泳沉积碳纳米管薄膜的场发射特性曲线

电泳沉积碳纳米管薄膜的场发射特性曲线

图三:离子束溅射类金刚石薄膜的场发射特性曲线

离子束溅射类金刚石薄膜的场发射特性曲线

主要用途:

用于各种材料和纳米结构的场发射性能的系统检测与分析,能够详细分析材料的开启电场、阈值电压及其场发射稳定性等相关性能参数。本公司长期为国际国内知名大学和科研院所(如清华大学、中山大学和中科院金属所等)从事材料研究领域的科研人员研发此设备,积累了多年的成功研发经验,具备了依据客户的特殊要求量身订做此设备的研发能力。

结构特点:

  1. 设备分样品送递室和测量室,可避免系统真空的破坏,操作便捷,省时;
  2. 极限真空可达10-7Pa,保证测试的可靠性。
  3. 系统可对样品加温,实现室温至600°C不同温度下的场发射特性测试;
  4. 电极距离由螺旋测微器精确调整;
  5. 测试过程数据采集实现自动化,可长时间测量,便于寿命检测;
  6. 测试仪表为美国进口,稳定性及可靠性高。

技术指标:

  1. 系统极限真空度:i)超高室:优于8×10-9Pa;ii)预处理室:8×10-9Pa;预处理室具有旁抽功能,检测系统:精度可达0.001-0.01mm,5分钟即可从大气进入超高真空状态。
  2. 能够实现高温条件下材料的电子发射性能的检测与分析,温度控制范围:室温-500°C;控温精度:±1°C.
  3. 配有离子枪处理样品功能,数显真空测量计,配有玻璃观察窗,可一次打印出IT、IV曲线。
  4. 变温样品台:液氮温度-196°C-500°C;样品尺寸:1cm×1cm;场发射测试样品台耐压:10KV(进口)。
  5. 电子轰击源:能量10keV,束流可达1mA(进口)
  6. 离子轰击源:能量0-800eV,束流可达0-80mA
  7. 等离子体发生器:射频电源功率500W,置于预处理室内
  8. 紫外光源:波长365±2 mm,光斑尺寸:3×3mm,中心功率峰值:4500MW/cm2
  9. 可见光源:氙灯500W,稳定度≤1%,光斑直径50mm
  10. 气路:质量流量计控制,调节范围:50Pa-10-7Pa

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