主要用途：

用于各种材料和纳米结构的场发射性能的系统检测与分析，能够详细分析材料的开启电场、阈值电压及其场发射稳定性等相关性能参数。本公司长期为国际国内知名大学和科研院所（如清华大学、中山大学和中科院金属所等）从事材料研究领域的科研人员研发此设备，积累了多年的成功研发经验，具备了依据客户的特殊要求量身订做此设备的研发能力。

结构特点：

1. 设备分样品送递室和测量室，可避免系统真空的破坏，操作便捷，省时；
2. 极限真空可达10^-7Pa，保证测试的可靠性。
3. 系统可对样品加温，实现室温至600°C不同温度下的场发射特性测试；
4. 电极距离由螺旋测微器精确调整；
5. 测试过程数据采集实现自动化，可长时间测量，便于寿命检测；
6. 测试仪表为美国进口，稳定性及可靠性高。

技术指标：

1. 系统极限真空度：i)超高室：优于8×10^-9Pa；ii)预处理室：8×10^-9Pa；预处理室具有旁抽功能，检测系统：精度可达0.001-0.01mm，5分钟即可从大气进入超高真空状态。
2. 能够实现高温条件下材料的电子发射性能的检测与分析，温度控制范围：室温-500°C;控温精度：±1°C.
3. 配有离子枪处理样品功能，数显真空测量计，配有玻璃观察窗，可一次打印出IT、IV曲线。
4. 变温样品台：液氮温度-196°C-500°C；样品尺寸：1cm×1cm；场发射测试样品台耐压：10KV(进口）。
5. 电子轰击源：能量10keV,束流可达1mA(进口）
6. 离子轰击源：能量0-800eV，束流可达0-80mA
7. 等离子体发生器：射频电源功率500W，置于预处理室内
8. 紫外光源：波长365±2 mm，光斑尺寸：3×3mm，中心功率峰值：4500MW/cm²
9. 可见光源：氙灯500W，稳定度≤1%，光斑直径50mm
10. 气路：质量流量计控制，调节范围:50Pa-10^-7Pa

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