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超高真空四靶磁控溅射系统
更新时间:2015-6-15

超高真空四靶磁控溅射系统

超高真空四靶磁控溅射系统

主要用途:

主要用于制备金属膜、介质膜、半导体膜。广泛用于生产和材料研究领域。

技术指标:

  • 1.极限真空:6.6×10-5Pa
  • 2.溅射室为立式不锈钢∩型结构,双层夹壁水冷,尺寸约ø600×600
  • 3.四只矩形靶,靶尺寸:430×130
  • 4.样品自转、公转,转速可调,可加热至300°C
  • 5.四个靶由四台电源控制,可以同时或单独工作
  • 6.射频和直流溅射,功率5KW

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